近日，裝有首批8英寸IGBT芯片的模塊在昆明地鐵車輛段完成段內調試，并穩定運行一萬公里，各項參數指標均達國際先進水平，標志著由中國南車株洲所下屬公司南車時代電氣自主研制生產的8英寸IGBT芯片已徹底打破國外高端IGBT技術壟斷，實現從研發、制造到應用的完全國產化。

作為電力電子裝置的“心臟”，IGBT在國家戰略領域中不可或缺。但是，國內IGBT技術起步較晚，受制于人，發展艱難而緩慢。國內大功率IGBT市場因此一直被國外公司壟斷。

早在二十世紀六十年代初，中國南車株洲所就依靠自己的力量，培養了我國最早的半導體器件研發隊伍。改革開放后，中國南車株洲所從美國西屋公司引進一條3英寸大功率半導體生產線，從而走上了一條自主開發和吸收引進相結合的道路。通過消化和吸收，中國南車株洲所逐步追趕世界先進水平，并先后成功研制出5英寸系列普通晶閘管和整流管及世界上第一只6英寸晶閘管。

2008年，中國南車株洲所下屬的南車時代電氣成功并購英國丹尼克斯半導體公司，以“資金”換“時間”，實現了在IGBT領域的第一次跨越。經過長達4年的技術消化、吸收與再創新，2012年5月，中國南車株洲所在株洲投資15億元，建設國內第一條8英寸IGBT專業芯片線，并于2014年6月正式投產。

芯片下線后，該公司科研團隊持續推動自主IGBT芯片的應用考核。今年10月，自主IGBT模塊成功通過功率考核試驗，并于當月底裝載至昆明地鐵1號線的城軌車輛。

此次試運行的IGBT模塊，由南車時代電氣自主研發的8英寸IGBT芯片封裝而成，IGBT芯片制造、封裝、測試的整套技術均在公司研制和生產。此次成功試運行，拉開了國產8英寸IGBT芯片應用于軌道交通領域的序幕，打破了國際壟斷。