三菱電機將于2014年11月28日開始銷售用于太陽能發電系統逆變器的智能功率半導體模塊“PV用大型混合SiC DIPIPM（雙列直插型智能功率模塊）”。該模塊采用碳化硅（SiC）二極管，型號為“PSH50YA2A6”。

該產品采用混合構造，即二極管部分配備SiC制肖特基勢壘二極管（SBD）、晶體管部分配備采用三菱電機自主開發的CSTBT（利用載流子積聚效應的IGBT）構造的第七代IGBT。據介紹，新產品的功耗與三菱電機的原產品“PS61A99”相比降低了約25％，這樣便可實現逆變器系統的低功耗化，因此可以提高電力轉換效率。

另外，新產品還將短路保護方式改為從IGBT提取幾千分之一左右的集電極電流、檢測這部分微小電流的方式。據介紹，采用這種方式就可以省去額定功率較大的外置分流電阻，可以實現逆變器系統的小型化。

新產品“PSH50YA2A6”的尺寸為31.0mm×79.0mm×8.0mm，額定電流和額定電壓分別為50A和600V。樣品價格為2萬日元（不含稅）。（記者：森元 美稀，NikkeiTechnology） ■日文原文
三菱電機がPVシステム向けに、SiCダイオードを用いたインテリジェントパ