2012年3月28日，根據中國電子科技集團公司與西安電子科技大學戰略合作協議，針對寬禁帶技術的快速發展，中國電科組織有關單位與西安電子科技大學就寬禁帶技術深入合作進行了洽談。西安電子科技大學校長段寶巖、副校長郝躍和中國電科科技部主任王政、2所所長李子杰、18所所長周春林、48所所長劉濟東等參加洽談。

西電與中國電科均是國家電子科技發展的優勢力量，雙方有廣泛的合作空間。雙方具體合作本著“互利共贏、優勢互補”的原則，加強產學研協同攻關，在寬禁帶技術領域進行如下四項具體合作研究：一是雙方聯合開展高溫MOCVD設備的設計、制造、產業化和應用研究；二是雙方聯合開展ALD（原子層淀積）設備設計、制造、產業化和應用研究；三是雙方聯合開展寬禁帶基礎理論、單晶材料、外延材料、高性能器件設計及工藝研究；四是雙方聯合開展InGaN太陽能電池基礎理論、材料、器件設計和工藝研究，以共同促進我國寬禁帶技術的快速發展。