2016年12月26日下午，由國家知識產(chǎn)權(quán)局和世界知識產(chǎn)權(quán)組織共同主辦的第十八屆中國專利獎頒獎大會在國家知識產(chǎn)權(quán)局舉行。常州天合光能有限公司提交的發(fā)明專利“全背電極太陽能電池的生產(chǎn)方法”（專利號：ZL201210141633.5）榮獲中國專利優(yōu)秀獎。

該專利技術(shù)創(chuàng)造了光電轉(zhuǎn)換效率高達(dá)24.4%的單結(jié)晶體硅太陽電池的世界紀(jì)錄，自主研發(fā)的156×156 mm2大面積可量產(chǎn)全背電極晶體硅電池的實驗室效率最高達(dá)到23.5%，是目前6英寸面積IBC電池效率的世界紀(jì)錄。能夠在同等面積下獲得比傳統(tǒng)產(chǎn)品更高的轉(zhuǎn)換效率，通過特殊的結(jié)構(gòu)設(shè)計而獲得一種新型的，使用性能及外觀優(yōu)良的產(chǎn)品，大幅降低全背電池太陽電池的生產(chǎn)難度，簡化制造工藝，大幅降低生產(chǎn)成本。現(xiàn)已建成了全球首條156×156 mm2大面積全背電極晶體硅電池生產(chǎn)線，打破了美國SunPower公司在全背電極電池技術(shù)上的壟斷地位，為我國高效全背電極電池的商業(yè)化打下了堅實的基礎(chǔ)。

該專利首次提出了一種新型的掩膜方法，成功解決了傳統(tǒng)全背電極晶體硅電池生產(chǎn)工藝中通過多次掩膜形成P+發(fā)射極和N+表面場的制造周期長、工藝復(fù)雜等問題。該專利通過控制背表面場N+區(qū)域的刻蝕槽深度，以及結(jié)合背表面場N+擴散層的形成方式，可以直接形成P+/N/N+結(jié)構(gòu)，僅需一次掩膜就能制備射極與背表面場不直接接觸的全背電極晶體硅電池，提高了工藝的可操作性，降低了生產(chǎn)成本。技術(shù)產(chǎn)品工藝現(xiàn)已成功應(yīng)用于太陽能賽車、光伏電站等，在傳統(tǒng)產(chǎn)品取得良好的經(jīng)濟和社會效益。

在知識經(jīng)濟時代全面來臨的今天，公司更是加強知識產(chǎn)權(quán)的管理與保護工作，在保持專利申請數(shù)量穩(wěn)定增長基礎(chǔ)上，重點關(guān)注專利質(zhì)量提升，加強科研項目全過程的知識產(chǎn)權(quán)管理，取得了一系列碩果。截止2016年12月26日，公司申請專利1308件，其中發(fā)明專利614件，擁有有效專利746件，其中發(fā)明專利219件。各項專利指標(biāo)在中國光伏行業(yè)內(nèi)名列前茅，有效提升了天合光能產(chǎn)品的自主知識產(chǎn)權(quán)水平和科技競爭能力。同時企業(yè)已經(jīng)根據(jù)GB/T 29490-2013 《企業(yè)知識產(chǎn)權(quán)管理規(guī)范》，建立了“企業(yè)知識產(chǎn)權(quán)管理體系”。該體系的建立，為公司知識產(chǎn)權(quán)保護與創(chuàng)新、實現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展提供了有力支撐。

“中國專利獎”是我國唯一針對授權(quán)專利的發(fā)明創(chuàng)造，給予獎勵的國家級政府部門獎，中國專利獎創(chuàng)立于1989年，獲聯(lián)合國世界知識產(chǎn)權(quán)組織(WIPO)的認(rèn)可，在國際上有著廣泛的影響力。