· 使用全新硬掩膜材料技術于10納米及以下確保緊湊型薄互連的大規模圖形生成
· 領先的物理氣相沉積技術提供多代產品的創新工具

2015年5月19日 - 全球領先的半導體、平板顯示和太陽能光伏行業精密材料工程解決方案供應商應用材料公司，近日推出全新的Applied Endura® CirrusTM HTX物理氣相沉積(PVD)*系統，采用突破性硬掩模技術，可支持10納米及更小的銅互連圖形生成。芯片尺寸的不斷縮小需要更先進的硬掩模技術，從而保證緊湊、微型互連結構的完整性。隨著這一全新技術的推出，應用材料公司成功延續氮化鈦（TiN*，半導體行業的首選硬掩膜材料）金屬硬掩模，滿足未來先進微芯片銅互連圖形生成的需求。

應用材料公司金屬沉積產品業務部副總裁兼總經理Sundar Ramamurthy博士表示：“解決先進互連圖形生成的挑戰是金屬硬掩模精密工程領域的關鍵。應用材料公司過去數十年來始終致力于將PVD技術應用于TiN膜工程領域，Cirrus HTX TiN系統的推出是我們的又一大創新力作。結合我們獨特的VHF *技術，這款新產品使客戶能靈活地調整TiN硬掩模的壓縮和拉伸應力，從而克服系統整合方面的具體挑戰。”

當今的先進微芯片技術能夠將20千米長的銅線裝入100平方毫米的狹小空間內，將其堆疊成10層，在層與層之間有多達100億個通孔或垂直互連。金屬硬掩模的作用是保持這些軟ULK *電介質中的銅線和通孔的圖形完整性。然而，隨著芯片尺寸的不斷縮小，傳統TiN硬掩膜層的壓縮應力可能會導致ULK薄膜中的狹窄銅線圖案變形或倒塌。以Cirrus HTX沉積的TiN硬掩膜則提供了獨特的應力調節功能，這一特殊性能加上良好蝕刻選擇性，實現優異的的關鍵尺寸(CD) *線寬控制及通孔對準，從而提高產品良率。

TiN硬掩模技術的突破主要歸功于硅片生產中的精密材料工程，使其制造出高密度、低應力的薄膜。在久經市場考驗的Endura平臺上，結合了兼具膜厚度均勻性和低缺陷率，Cirrus HTX系統能夠滿足多互聯層圖形生成的大規模量產需求帶來的嚴峻挑戰。