筆者采訪了6月15～17日在京都舉行的半導體元件技術國際會議“2009 Symposium on VLSI Technology”（以下稱VLSI研討會）。由于聽聞不久前在美國舉行的顯示器展會“SID 2009”的大部分演講會場都出現了明顯的空座現象，筆者猜想到，VLSI研討會也許會發生類似的情況。

　　VLSI研討會開幕后，與會者人數的確少于往年，但會場仍與往年一樣充滿活力。筆者幾乎每年都報道VLSI，此次直到最后一天也“沒有感到乏味”。盡管開幕之前就報道了VLSI研討會與往屆的不同之處，但未感到乏味可能是由于以邏輯LSI為主的“新技術”的論文增加了的緣故。

　　就在2～3年前，大部分研討會還都以應變硅及high-k/金屬柵極等最近的技術為對象，到了會議后半期就會“令人乏味”。而此次從Ge到III-V族半導體、石墨烯及Post-CMOS元件，可謂應有盡有。是否能推出產品姑且不論，整個半導體產業在設法挖掘產業潛力的態度可略見一斑。

　　在此次允許持有“自由想法”的研討會上，只有一場會議氣氛比較壓抑。那就是最后一天上午舉行的NAND型閃存相關會議（Session10A）。共發表了4篇論文，其中3篇來自于市場份額居首位的韓國三星電子（Samsung Electronics）（其中一篇與美國加利福尼亞大學聯名發表），另一篇則來自于該公司的競爭對手東芝，業界雙雄難以決出勝負。之所以用“氣氛壓抑”來形容，是因為筆者感到，大多數NAND型閃存技術人員“完全看不清今后的技術發展趨勢”。

　　NAND型閃存在幾乎以一年半時間升級一代的速度實現微細化的同時，也在不斷接近微細化的極限。目前的現狀是，微細化會繼續進行到什么程度，之后的技術方案是什么，“任何人都不是很清楚”（知名閃存廠商的技術人員）。三星的3篇論文充分考慮了這種情況。此次發表的技術都沿著三維方向重疊存儲單元，達到微細化極限之后仍能進一步擴大容量。每位演講者都極力強調，這些技術均比東芝在前一天舉行的重點會議（Session7）上發表的三維NAND型閃存技術具有優勢。在臺下認真傾聽的筆者也不禁興奮起來，覺得演講“十分有趣”。

　　筆者十分樂于報道半導體業界的信息，但08年發生雷曼事件以后，報道的都是令人心情沉重的新聞。這種情況下，在此次的VLSI研討會上，至少技術開發現場使筆者產生了積極的想法，“半導體技術人員還有很多工作要做，報道這些信息的媒體同樣有許多工作要做”。（記者：大下 淳一）