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美國《鈉還原法》太陽能級多晶硅新技術

   2009-06-23 ne21.com21世紀新能源15270

由于太陽能光伏產業的迅猛發展和新增需求,當前國際上已經形成了開發低成本、低能耗太陽能級多晶硅的熱潮。并趨向把生產高純度(6N)太陽能級多晶硅的工藝技術和生產更高純度(11N)電子級多晶硅的工藝技術區分開來,涌現出許多專門生產太陽能級多晶硅的新技術,降低太陽能級多晶硅生產成本和電池成本,促進太陽能光伏產業的發展。

美國斯坦福研究院獨辟蹊徑研究成功《鈉還原法》太陽能級多晶硅生產新技術。 該《鈉還原法》不同于現有常用的西門子法、硅烷法、硫化床法,也不同于冶金提純法,而是采用化學物理轉化法。

該《鈉還原法》的原料為氟硅酸鈉Na2SiF6,它是磷肥制作過程中的副產品,來源廉價和廣泛。氟硅酸鈉Na2SiF6經過加熱轉變為四氟化硅氣體SiF4及副產品氟化鈉NaF,該四氟化硅氣體SiF4通過高純金屬鈉Na即形成高純硅粉Si,然后制成多晶硅。其副產品氟化鈉NaF又是優質的化工原料,用于制鋁工業和牙膏生產。

該《鈉還原法》生產工藝簡單,副產品充分有效利用,生產成本和投資成本大幅度降低,而且無有毒氣體排放之憂,使該技術成為低成本太陽能級多晶硅生產的理想工藝,有望成為今后太陽能級硅的主流生產技術,極大地促進太陽能光伏應用和發展。

該《鈉還原法》的工藝流程如下:

氟硅酸鈉(原料)

                    Na2SiF6    → SiF4 + 2NaF

                                 ↓

                                SiF4 + 4Na  → Si + 4NaF

                                                ↓     ↓

                                              多晶硅   氟化鈉

(產品) (副產品)

該《鈉還原法》的主要技術經濟指標:

●硅粉純度:雜質濃度 <0.02ppm (7N)

●單晶硅電阻率:>30 Ωcm  (典型太陽能級硅電阻率為~1Ωcm)

●太陽能電池效率:15+1%(AM1)

●目標硅生產成本:14 美元/千克

●投資成本:約為西門子法的1/3

該《鈉還原法》與其他工藝方法的比較:

西門子法 (熱絲反應器) 流化床法 (沸騰床) 硅冶金法 (UMG法) 鈉還原法 (斯坦福專利)
關鍵反應物 SiHxCl4-x SiHxCl4-x Mg-Si SiF4 + Na
投資成本($k/MT/yr) 90 45 30 19
電力(kWh/kg) 120+ 40 <10
生產成本($/kg) 38 27 26 14
反應器生產量(MT/yrSi/m3) 10.3 30 330
硅純度(ppm) <0.02 <0.02 1 <0.02

該《鈉還原法》已在某些國家和地區生產, 是低成本太陽能級硅

 
標簽: 多晶硅
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