微型逆變器和分布式最大功率點(diǎn)跟蹤(MPPT)解決方案作為光伏逆變器市場的新興領(lǐng)域，預(yù)計(jì)將會大幅增長，2010年到2015年的年均復(fù)合增長率可達(dá)77%。

    從發(fā)電系統(tǒng)的角度來看，光伏并網(wǎng)在技術(shù)上的重點(diǎn)在于以下兩個(gè)方面。一是從光伏系統(tǒng)的角度來看，光伏行業(yè)面臨的最大挑戰(zhàn)之一是太陽能面板的陰影問題。陰影的變化、太陽能面板上的污垢和面板老化，都會對各個(gè)面板的電壓構(gòu)成影響，從而引起串聯(lián)面板的輸出電壓發(fā)生變化。微型逆變器將是其中一個(gè)替代解決方案，它能夠在面板級實(shí)現(xiàn)最大功率點(diǎn)跟蹤(MPPT)，擁有超越中央逆變器的優(yōu)勢。MPPT能夠在每塊太陽能面板取得最佳功率點(diǎn)，而無需進(jìn)行串行太陽能面板串聯(lián)配置，可以最大限度地減少陰影問題。二是從功率器件的角度來看，由于主要的光伏系統(tǒng)廠商擁有各自的光伏逆變應(yīng)用專利拓?fù)洌雽?dǎo)體供應(yīng)商必須開發(fā)專用的產(chǎn)品。因此，這些廠商需要緊跟太陽能逆變器市場不斷演進(jìn)的新興技術(shù)趨勢。例如，由于需要提高輸入電壓以獲得更高的效率，所以必須使用650V或以上MOSFET/IGBT。此外也需要使用SiCSBD作為成套解決方案。另外，要擴(kuò)大10kW以上市場份額，就必須使用IGBT/SPM模塊。

    對于10kW以下并網(wǎng)光伏逆變器解決方案，飛兆半導(dǎo)體提供場截止(FS)IGBT和SupreMOSMOSFET器件，具備進(jìn)入這一高性能市場所需的低EOFF優(yōu)勢和高可靠性。對于微型逆變器，飛兆半導(dǎo)體擁有中等電壓MOSFET和SupreMOS技術(shù)，可為這類應(yīng)用提供卓越性能。